Ohio State University wählt AIXTRON CCS-MOCVD-System für die Entwicklung von Galliumoxid-Bauelementen der nächsten Generation

Herzogenrath, 20. November 2025 – Die Ohio State University (OSU) hat ein Close Coupled Showerhead® (CCS)-System für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) von AIXTRON SE (FSE: AIXA) erworben. Das System wird für die fortschrittliche Epitaxie von Galliumoxid (Ga₂O₃) und Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) zur Material- und Geräteentwicklung auf 100 mm-Substraten eingesetzt. Dieses hochmoderne MOCVD-System trägt dazu bei, die Entwicklung von Bauelementen bestehend aus Halbleitern mit breiter oder ultrabreiter Bandlücke zu revolutionieren.

Das CCS-MOCVD-System von AIXTRON ist für seine Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit bekannt und ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, homogener Dünnschichten für eine breite Palette von Verbundwerkstoffen. Galliumoxid und seine Legierungen zeichnen sich durch überlegene Eigenschaften bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen im Vergleich zu konventionellen Halbleitermaterialien aus. Das neue System wird es den Forschenden der OSU ermöglichen, die Eigenschaften dieser Materialien zu erforschen, neuartige Bauelementarchitekturen zu entwickeln und die Grenzen der Halbleitertechnologie zu erweitern.

„Wir haben bereits sehr gute Erfahrungen mit AIXTRON-CCS-Reaktoren für GaAs- und InP-Materialien gemacht. Ihre Reaktoren sind weltweit bekannt für ihre exzellente Gleichmäßigkeit, hohe Materialqualität und große Prozessfenster. AIXTRON hat dies nun auch für Galliumoxid (Ga₂O₃) und Aluminiumgalliumoxid (AlGaO) gezeigt, und wir freuen uns auf die Zusammenarbeit bei der Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und Bauelemente mit diesem System“, sagte Professor Steven A. Ringel, Associate Vice President for Research der Ohio State University und Direktor des Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR). Er fügte hinzu: „Wir schätzen insbesondere die Skalierbarkeit der Plattform sowie die Möglichkeit, Wafer mit einem Durchmesser von bis zu 4 Zoll zu verarbeiten. Wir freuen uns darauf, gemeinsam mit AIXTRON den nächsten Schritt zu gehen.“

Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE, kommentierte: „Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit der OSU und den angesehenen Professoren Hongping Zhao, Siddharth Rajan und Steven Ringel bekannt zu geben. Unsere CCS-MOCVD-Anlagen haben durchweg eine herausragende Leistung in der Unterstützung von Spitzenforschung und in der nahtlosen Skalierung hin zu Tier-1-Industrieanwendungen gezeigt. Besonders begeistert sind wir von den vielversprechenden Fortschritten in der Galliumoxid-Technologie, die die nächste Generation von Leistungsbauelementen einläuten. Diese Zusammenarbeit unterstreicht unser Engagement für die Förderung von Innovation sowie die Weiterentwicklung von Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie.“

Der für Ga₂O₃-Prozesse ausgelegte MOCVD-Reaktor wird im Nanotech West Lab installiert, einer 3.500 m² großen Shared-User-Facility für die Materialforschungsgemeinschaft der Ohio State University. Das Labor wird vom Institute for Materials and Manufacturing Research (IMR) betrieben, einem multidisziplinären Institut, das Infrastruktur, Entwicklung und Betrieb zentraler Forschungseinrichtungen an der Ohio State University verantwortet.

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Über die Ohio State University

Die Ohio State University in Columbus, Ohio, ist bekannt für ihre starken akademischen Programme, ihre Spitzenforschung und ihr pulsierendes Campusleben. Als eine der größten Universitäten der Vereinigten Staaten spielt sie eine zentrale Rolle in den Bereichen Innovation, Bildung und gesellschaftliches Engagement in einer Vielzahl von Disziplinen.

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com  verfügbar.

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