Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

Herzogenrath, 30. September 2025 – Die Cornell University in Ithaca, New York, hat ein hochmodernes Close Coupled Showerhead® (CCS) Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)-System von AIXTRON SE (FSE: AIXA) erworben. Das MOCVD-System wird die Arbeit der Materialwissenschaftlichen Fakultät der Cornell University stärken und ihre Möglichkeiten zur Erforschung und Entwicklung fortschrittlicher scandium- und yttriumhaltigen Materialien mit vielversprechenden Anwendungsmöglichkeiten in der Elektronik erweitern.

Die Anschaffung durch die Cornell University ist die erste Installation eines AIXTRON CCS MOCVD-Systems an der Universität und stellt eine bedeutende Aufwertung ihrer Forschungsinfrastruktur dar. Das CCS-System ermöglicht die Abscheidung hochwertiger, hochgradig gleichmäßiger Dünnschichten – eine wesentliche Voraussetzung für bahnbrechende Halbleiter-Bauelemente. Insbesondere die Einbindung von Scandium (Sc) oder Yttrium (Y) in bestimmte Materialsysteme kann die piezoelektrischen Eigenschaften deutlich verbessern. In einigen Berichten wurde bereits gezeigt, dass ein Anteil von wenigen Prozent Scandium die piezoelektrischen Koeffizienten um ein Vielfaches erhöhen kann, was in Transistoren höhere Stromdichten oder den Betrieb bei höheren Frequenzen ermöglicht. Yttrium (Y) spielt ebenfalls eine entscheidende Rolle bei der Anpassung der elektronischen und ferroelektrischen Eigenschaften für energieeffiziente und leistungsstarke elektronische Komponenten.

AIXTRONs CCS-MOCVD-System zeichnet sich durch die Möglichkeit aus, Präkursoren mit niedrigem Dampfdruck zu verarbeiten. Gleichzeitig wird das Wachstum bei hohen Partialdrücken von Scandium in Barriereschichten und aktiven Schichten ermöglicht. Für diese Installation wird das MOCVD-System mit einer neu entwickelten Hochtemperaturquelle und einer optimierten Präkursor-Handhabung ausgestattet, die eine stabile, kontrollierbare Einbindung von Sc und Y ermöglichen, ohne die Gleichmäßigkeit der Schicht zu beeinträchtigen. Diese Funktionen ermöglichen es Forschern, Materialien und Bauelement-Designs zu erforschen, die bisher schwer zu realisieren waren. Somit wird eine Brücke zwischen wissenschaftlichen Entdeckungen und skalierbaren Prozessbedingungen geschlagen.

„Wir freuen uns sehr, das CCS MOCVD-Werkzeug von AIXTRON in die Materialwissenschaftliche Fakultät zu integrieren“, sagte Professor Hari Nair, Assistenzprofessor in der Materialwissenschaftlichen Fakultät der Cornell University. „Diese Anschaffung ist ein wichtiger Schritt vorwärts in unserem Engagement für wegweisende Forschung. Die Möglichkeit, Quellenmaterialien mit niedrigem Dampfdruck für Scandium und Yttrium unter kontrollierten Bedingungen in den Reaktor einzubringen, eröffnet neue Wege, die piezoelektrischen und ferroelektrischen Eigenschaften dieser Schichtsysteme zu verbessern. Diese Scandium oder Yttrium enthaltende Schichten sind sehr wünschenswert für elektronische Systeme der nächsten Generation.“

„Wir sind stolz darauf, die Fakultät für Materialwissenschaften der Cornell University mit unserer CCS-MOCVD-Technologie zu unterstützen“, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON SE. „Unsere Systeme sind so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen der Forschung im Bereich neuer Materialien gerecht werden. Die maßgeschneiderte Hochtemperaturquelle und das fortschrittliche Präkursoren-Management der Quellenmaterialien dieses Tools unterstreichen das Engagement von AIXTRON, das Bearbeiten neuer Materialien zu ermöglichen und Laborinnovationen in industriell relevante Prozesse umzusetzen.“

Die Anschaffung des CCS-MOCVD-Systems durch Cornell ist ein wichtiger Meilenstein im Streben der Universität nach exzellenter Forschung. Die Universität freut sich auf die Entdeckungen, Innovationen und interdisziplinären Kooperationen, die dieses Gerät ermöglichen wird, darunter Partnerschaften mit Industrie und akademischen Einrichtungen weltweit.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail [email protected]

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.